[2023년 IPO] 마이크로투나노(MICRO2NANO, INC.)

반도체 제조업 - 마이크로투나노 -

마이크로투나노는 반도체용 프로브카드의 개발, 제조 및 판매를 주요 사업으로 영위하고 있습니다.

당사의 반도체용 프로브카드 제품은 주로 종합반도체회사에 납품되어 사용되고 있습니다. 당사가 제조하는 반도체용 프로브카드 제품은 용도별로 낸드플래시용 프로브카드, DRAM용 프로브카드로 구분할 수 있으며, 2022년 기준으로 누적 매출액은 낸드플래시용 프로브카드 93.7%, DRAM용 프로브카드 3.7%, 그 외 기타 매출 2.6%입니다.

목적사업	비고
1. 광케이블 전용 접속부품 제조 및 판매업 2. 반도체 소자 제조 및 판매업 3. 반도체 제조장비 제조 및 판매업 4. 광통신 및 반도체 소자 관련 컨설팅업 5. 위 각호 제품에 대한 무역업 6. 위 각호에 관련된 부대사업 일체	영위하고 있는 사업
7. 부동산 임대업	영위하고 있지 않은 사업

 

회사의 주요 연혁

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연월	내용
2000.08	㈜엠투엔 설립 (대표이사 황규호) 자본금 : 80,000,000원
2000.09	유상증자 (주주 배정) 자본금: 200,000,000원
2000.12	유상증자 (주주 배정) 자본금: 210,530,000원
2001.01	기업부설연구소 설립
2001.03	벤처기업 인증 (연구개발기업)
2001.05	무상증자 실시(196,000주)
2001.05	제 1회 무기명식 이권부 무보증 사모전환사채 발행(520,000,000원)
2001.05	제 1회 전환사채 행사에 따른 보통주 전환(4,000주)
2001.07	유상증자 (주주 배정) 자본금: 1,553,030,000원
2001.08	부품소재기술개발사업-MEMS 기술을 이용한 다채널 광스위칭 모듈개발 정부과제
2002.10	나노메카트로닉스사업-나노부품 조립 및 병력 프로브 기술 정부과제
2002.11	기업혁신형 INNO-biz 기업 선정
2002.12	본점이전 (서울→용인)
2003.02	광부품 V-Groove 상용화
2004.02	ISO 9001 품질인증 획득
2004.11	유상증자 (주주 배정) 자본금: 1,653,030,000원
2005.04	투명경영기업 인증
2005.05	전자부품기반기술-Repair가 용이한 탐침 교체형 고집적 칩 검사모듈개발 정부과제
2006.06	유상증자 (제3자 배정) 자본금: 1,965,530,000원
2006.06	대덕특구개발사업-나노소재 기반 가스 검출 핵심 기술 개발 정부과제
2006.06	부품소재기술개발사업-MEMS 기술을 이용한 반도체 칩 양산용 고속 회로 검사 장치 개발 정부과제
2006.08	우량기술기업 선정
2007.01	㈜엠투엔 수원지사 설립
2007.03	SK하이닉스 협력업체 등록
2007.06	차세대패키징개발사업-멤스 웨이퍼레벨 패키징 기술 개발 정부과제
2007.12	유상증자 (제3자 배정) 자본금: 2,200,000,000원
2009.05	기술혁신개발 사업자 선정
2009.05	프로브카드 품질인증서 획득
2009.05	중소기업혁신기술개발사업-미세 홀이 가공된 450mm급 프로브카드용 MEMS 기판 개발 정부과제
2012.03	KETI 기술협력 우수기업 사례 선정
2014.02	SK하이닉스 동반성장협의회 회원사 선정
2014.09	중소기업기술혁신 개발사업 우수성공기업 사례 선정 (프로브카드)
2014.12	매출액 100억 달성
2015.05	유상증자 (제3자 배정) 자본금: 2,444,445,000원
2015.05	㈜미코SnP 프로브카드 사업부문 인수(자산양수도계약)
2015.12	한-이스라엘 공동기술개발 사업자 선정
2016.05	한-이스라엘국제공동기술개발사업-초속효형 인슐린 주사를 위한 750um 니들 개발 정부과제
2016.12	매출액 200억 달성
2018.12	매출액 300억 달성
2018.11	IATF 16949:2016 인증 획득
2019.01	나노융합 기술인력 양성사업 관련 산업통상자원부장관 표창 수상
2019.11	중소기업혁신개발사업(소부장)-High Speed용 CIS 프로브카드 개발 정부과제
2020.05	액면분할(5,000원→500원) 자본금: 2,444,445,000원
2020.07	수원 망포 사업장, 용인백암 사업장→통합사업장이전(용인 신사옥)
2020.08	사옥건축 본점 이전→용인테크노밸리
2021.01	ISO14001 인증 획득
2021.05	중소기업혁신기술개발사업(소부장)-5G RF Module용 Multi-DUT 프로브카드 정부과제
2021.12	용인시 우수기업 인증 획득
2022.03	사명 변경 (주식회사 엠투엔→주식회사 마이크로투나노)
2022.12	SK하이닉스 SHE컨설팅 '역량향상 부문’대상 선정
2022.12	매출액 400억 달성

 

주주에 관한 사항

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◆ 최대주주 및 그 특수관계인의 주식소유 현황

2023.04.13일 기준 (최대주주 및 특수관계인)

 

◆ 5% 이상 주주의 주식소유현황

2023.04.13일 기준 (5% 이상 주주)

◆ 소액주주현황

(단위: 주)

구분	주주			소유주식			비고
	소액 주주수	전체 주주수	비율 (%)	소액 주식수	총발행 주식수	비율 (%)
소액주주	29	47	61.7%	268,840	4,888,890	5.5%	-

주) 소액주주는 발행주식총수의 100분의 1에 미달하는 주식을 보유한 주주입니다.

 

사업을 이해하는데 필요한 용어 정리

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용어	정의	비고
프로브카드 (Probe Card)	반도체 웨이퍼 테스트를 위한 장치로써 테스터와 Prober사이의 전기적, 물리적 연결 Interface 역할을 함
프로브(Probe)	Wafer Pad를 Contact하여 전기적 신호를 주고받는 캔틸레버 형태의 금속 MEMS 구조물
Tip	프로브카드에서 일반적으로 프로브를 지칭하는 용어로 혼용하기도 하고, 특별한 경우 웨이퍼와 contact하는 프로브 선단 부분을 칭하기도 함.
버티컬 프로브 (Vertical 프로브)	프로브카드의 구성에 이용되는 수직형 프로브로 외팔보형태의 캔틸레버 프로브와는 다르게 일정한 곡면을 가지고 있지만 수직 형태로 세워서 사용하는 프로브이며 주로 비메모리 테스트용 프로브카드에서 사용함.
메모리(Memory)	데이터를 저장할 때 쓰는 반도체로 주로 DRAM, 낸드 플래시 메모리가 있음.
비메모리(Non-memory)	정보를 저장할 때 쓰이는 메모리 반도체와 다르게 정보를 처리하거나 연산을 하는데 쓰이는 반도체임
CMOS 이미지 센서	휴대전화 카메라 및 디지털 카메라 등에 사용되는 영상 소자 부품인 이미지 센서의 일종으로, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS)를 이용한 센서임. 이미지센서는 광학영상의 강약과 색채를 감지하여 디지털 영상 데이터로 변환해주는 장치로, 영상 이미지의 저장 및 전송, 재생을 위한 전자부품임. 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라등의 핵심 부품
웨이퍼 레벨 검사	반도체 웨이퍼의 검사 공정 중 칩을 개별로 분리하기 전웨이퍼 상태에서 진행하는 검사
WFBI(Wafer Burn In) 테스트	반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 고온, 고전류의 가혹 조건에서 반도체 칩의 양/불량을 선별하는 테스트
EDS (Electric Die Sorting) 테스트	반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 테스터에서 전기적 신호로 반도체 칩을 구동 시켜 반도체의 양/불량을 선별하는 테스트
테스트 스피드	번인, EDS 테스트 시 사용하는 교류 주파수의 속도	단위:Hz
2D 프로브	프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 웨이퍼의 평면 방향으로 프로브 형상 몰드를 만들고 도금을 한 후웨이퍼에서 프로브를 분리하는 방법으로 제조하는 프로브
3D 프로브	프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 프로브가 세워진 방향으로 적층 도금을 하면서 프로브 구조물을 제조하는 프로브
Para (Parallelism)	반도체 칩 테스트 시 동시에 테스트 할 수 있는 칩(또는 Die)의 개수를 의미하며, One Touch Down 프로브카드는 하나의 웨이퍼에 Layout된 전체 칩을 한 번 contact로 테스트 할 수 있는 프로브카드
TRE (Tester Resource Enhancement)	테스터에서 신호를 줄 수 있는 채널 수가 정해져 있으므로 테스터 채널보다 많은 수의 칩(또는 Die)을 동시에 테스트하기 위해 하나의 신호를 병렬로 확장하여 테스트하는데, 이때 확장된 병렬 신호의 개수를 의미	shared 개수로 표현하기도 함
최대허용전류 (CCC: Current Carrying   Capacity)	프로브의 형상이나 물리적 변화 없이 흐를 수 있는 한계 전류 값	단위:A
MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)	반도체 유사 공정을 이용하여 미세 3차원 구조물과 각종센서를 만드는 기술. 프로브카드 부품 중 프로브는 MEMS 기술을 이용하여 제작하는 부품임
MLC (Multi Layer Ceramic)	세라믹 재질로 되어 있는 다층 회로 기판, 프로브가 본딩되어 MPH(MEMS Probe Head)를 구성함
LTCC (Low temperature co-fired ceramic)	상대적으로 저온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,000°C 근처임.
HTCC (High temperature co-fired ceramic)	상대적으로 고온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,600°C 근처임
MPH (MEMS Probe Head)	MLC에 MEMS 프로브가 본딩 되어있는 기판을 말함
Power Impedance	회로에서 Power 전압이 가해졌을 때 전류의 흐름을 방해하는 값	단위:Ohm
Filed failure mode	프로브카드가 양산 시 fail로 인해 다운되는 시점 사이의 생산 기여도 평가
Simulation	프로브카드의 물리적, 회로적 특성을 해석 프로그램을 통해 예측하는 수학 기법
Pitch	프로브가 contact하는 반도체 칩 패드의 간격	단위:um
DUT (Device Under Test)	시험 또는 측정의 대상이 되는 장치, 반도체 웨이퍼의 개별 Die
ASIC (Application-Specific Integrated Circuit)	주문형 반도체 칩으로 사용자의 요구에 맞추어 제작되는 집적 회로
FPGA (Field Programmable Gate Array)	설계 가능 논리 소자와 프로그래밍이 가능한 내부 회로가 포함된 반도체 소자로, 프로브카드에서 ASIC 칩들을 제어하기 위해 사용되는 Processor
Scrub Mark	프로브가 칩의 패드를 물리적으로 Contact하면서 패드 표면을 파고드는 현상을 Scrub이라고 하고 이때 생기는 패드 표면의 긁힌 흔적
프로브 Burnt	프로브에 한계 이상의 전류가 흐르면서 Tip 또는 Body 부분이 타거나 물리적 성질이 변성되는 현상
프로버(Prober)	웨이퍼 테스트 시스템의 Handler 역할을 수행하는 장치로 프로브카드 및 테스트 할 웨이퍼를 장착 (Loading)하여 프로브카드는 Tester에 전기적 연결을 시키고, 프로브 카드와 웨이퍼를 물리적으로 저온/고온에서 Contact 시키는 역할을 함.
프로버 척 (Prober Chuck)	Prober에서 Wafer pad에 프로브를 Contact하기 위해 웨이퍼가 위치하는 곳
O/D (Over Drive)	프로브가 Wafer pad를 Contact하기 위해 최초 Contact 위치부터 스프링 운동을 하면서 Z축 방향으로 움직인 거리
항복강도	일반적으로 재료의 소성 변형이 일어나기 시작하는 시점에 가해지는 응력 한계값을 의미하며, 일반적으로 항복 강도가 클수록 변형이 잘 되지 않음을 의미함
2원계 합금	금속의 합금 구성 시 2개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함
3원계 합금	금속의 합금 구성 시 3개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함
레이저 솔더링	프로브카드 제작 시 프로브를 MLC 패드에 본딩 하기 위해 프로브에 솔더를 올리고 레이저를 이용하여 열을 가하여 프로브를 접합하는 공정
Align	프로브카드에서 프로브의 위치 정밀도를 지칭하는 용어로 일반적으로 프로브 선단의 x,y의 설계값 대비 벗어난정도를 수치로 표현한 값
다층박막	프로브카드의 MPH(MEMS Probe Head)를 구성하는 데 있어서 액상 폴리이미디와 금속 도금 공정을 이용하여 다층 배선을 하는 공법을 의미.
Via	적층 배선이 있는 기판에서 상하부 배선을 연결하는 수직 금속 구조물
열팽창 계수	온도가 올라가면서 생기는 물체의 공간적 크기 변화의 정도를 특정하는 값으로 물질의 고유 특성임.
회로 Logic 도면	프로브카드를 구성하는 회로 부품의 동작 원리나 설계 원리를 간단한 그림이나 연결 구조도로 표현한 도면
신호 무결성  (SI:Signal Integrity)	임피던스의 불연속에 의해 생기는 신호의 특성 저하에 대해 분석하고 신호 전송에 문제가 생기지 않도록 하는 기술
전원 무결성  (PI : Power Integrity)	전원 전달에 방해되는 요소를 분석하여 이를 최소화하거나 보완해 주는 기술
임피던스(Impedance)	교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내는 용으로, 교류 신호의 경우 전로 선로 상에서 임피던스 값이 유지되어야 신호의 왜곡이나 지연이 발생하지 않음	Ω
Pre-deposited Solder	프로브 본딩에 사용되는 솔더는 일반적으로 액상 플럭스에 미세한 솔더볼이 혼합되는 솔더를 사용하지만, Pre-deposited Solder는 고체 상태의 솔더 합금을 프로브의 특정 위치에 미러 증착하는 것을 의미함
박막저항 (TFR : Thin Film Resister)	특정 저항 값을 가지는 금속 합금을 사용하여 수 um 두께를 가지는 박판 형태로 제작되는 저항을 의미하며 일반적으로 MEMS 공정을 사용하여 제작함
SSD controller	대용량 낸드플래시 저장 매체인 SSD를 제어하는 칩셋을 의미하며, 데이터 읽기/쓰기를 효율적으로 조절해 주는 역할을 함

 

주요 사업

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마이크로투나노는 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)기술을 기반으로 반도체용 프로브카드 및 파운드리 서비스를 제공하는 MEMS기술 전문 회사 입니다. 당사의 주된 사업 아이템은 반도체용 프로브카드로 반도체의 제조 공정 중 테스트 공정에 사용되는 기술집약적 장치이자 소모품입니다. 프로브카드는 탑재된 프로브 핀(Probe Pin)을 통해 웨이퍼에 접촉하여 전기 신호를 이용해 반도체 칩의 결함 여부를 판단하는 검사를 수행합니다. 당사의 제품은 고객사의 제조 공정에서 불량칩이 후속 공정에 투입 되는 것을 방지하여 수율을 높이는 데 활용되고 있습니다.

당사가 영위하고 있는 프로브카드 사업은 전방산업인 반도체 산업과 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 반도체 기술의 발전에 의해 반도체의 집적도가 고도화됨에 따라 프로브카드에 요구되어지는 기술수준 또한 지속적으로 높아지고 있어, 지속적인 연구개발이 사업에 있어 필수적인 요소입니다. 당사는 우수한 MEMS 기반 기술력과 숙련된 R&D인력을 바탕으로 차세대 제품에 요구되는 기술력 확보하고 있어 시장의 환경변화에 빠르게 대응할 수 있는 체제를 갖추고 있습니다.  당사는 코스닥 상장을 위해 실시한 기술성 평가에서 평가 기관 2곳 모두로부터 A등급을 획득하며, 해당 기술들의 완성도와 확장성, 상용화 수준 등에 대한 검증을 받은 바 있습니다.

당사의 사업에 있어 또 다른 중요한 요소로는 품질력과 납기 경쟁력을 들 수 있습니다. 당사는 이에 대응하기 위해 경쟁사와 차별화된 독자적인 생산방식(2D 프로브 제조방식)을 채택하고 있으며, 특허와 노하우 관리를 통해 관련된 핵심기술을 보호하고 있습니다. 또한 당사 제조 시스템은 MES(Manufacturing Execution Systems)를 근간으로 운영하며, 품질 시스템은 ISO 9001을 근간으로 내부 품질을 통제하고 있습니다. 우수한 품질 시스템은 모든 신제품 개발 시 짧은 시간 안에 설계 및 공정 변경 부분에 대한 빠른 평가 및 검증을 가능하게 하여 제품 출시 소요기간을 줄여 당사의 경쟁력에 기여하고 있습니다. 당사의 우수한 품질경쟁력은 정기적으로 실시되는 고객사의 품질평가에서의 높은 평가로 확인되고 있습니다. 당사는 품질평가가 반영된 물량 배분을 통해 고객사 내 가장 높은 시장점유율(NAND부문)을 유지함으로써, 시장에서의 입지를 높여가고 있습니다.

 

주요 제품 및 서비스

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2022년 영업년도 기준 당사가 생산하는 주요 제품별 매출실적은 다음과 같습니다.

◆ 2022년 매출분석

 

◆ 주요 제품

프로브카드는 웨이퍼상 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하여 반도체의 동작을 검사하는 장치로 전기적 신호를 통하여 불량 Chip을 선별해주는 중요한 장비입니다. 일반적으로 반도체 제조를 위한 생산 공정 중에 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자가 패키징 공정이라는 후공정 제조 프로세스로 진행되기 전에 불량 소자를 선별하는데 이 때 사용되는 것이 프로브카드 입니다.

프로브카드는 사용 용도에 따라 메모리 반도체용과 비메모리 반도체용으로 분류되고메모리 반도체용은 다시 DRAM용 제품과 낸드플래시용 제품으로 분류됩니다. 비메모리 반도체는 다양한 Application에 따라 제품별로 분류되는데 현재 당사는 이미지 센서용(CIS) 프로브카드를 타깃으로 양산개발 중에 있습니다. 프로브카드 제조 시 적용되는 기술에 따라 크게 MEMS Type, Vertical type 및 Tungsten needle type 등으로 분류되는데 최근 및 향후 시장에서 가장 선호하는 type은 MEMS 기술을 이용하는 프로브카드입니다.

MEMS 기술은 초소형정밀기계기술로 수 ㎛ 크기의 미세한 구조물을 가공, 초고밀도집적회로, 초미세 기계구조물을 생산할 수 있는 기술입니다. 당사는 MEMS 기술을 기반으로 성장한 회사로써 MEMS 기술을 활용하여 프로브카드 및 각종 파운드리 제품을 생산하고 있습니다.

 

◆ 제품에 대한 상세 내용

1. 낸드플래시용 프로브카드

당사의 낸드플래시용 프로브카드는 고기능의 정렬 정밀도와 신호품질을 제공합니다.낸드플래시 칩의 면적은 좁아져 가는데, 면적 당 Chip 개수는 증가하는 추세에 대응하기 위한 MEMS 기술 기반의 독보적인 프로브 Tip의 형상과 소재개발기술, 박막기술 및 High Speed 회로 기반의 기술을 갖추었습니다.

낸드플래시용 프로브카드는 SK하이닉스가 주력 매출처로 현재 2년 후 메인 양산 모델까지 검증을 완료한 상태입니다. 2024년 SK하이닉스의 인텔 낸드사업부 인수 완료가 예정되어 있어 인텔의 중국 대련 FAB 수주 물량이 증가할 것으로 예상되고 있습니다.

낸드플래시용 프로브카드

2. DRAM용 프로브카드

DRAM용 프로브카드에는 High-Performance 및 Fine Pitch와 고밀도를 필요로 합니다. 낸드플래시용 프로브카드 대비 고강도, 고전류, 미세한 Pitch대응 기술이 필요하며, 당사는 요구되는 프로브 제조기술과 초정밀 Align 기술을 갖추고 있습니다. 나아가 최근 DRAM용 WFBI 프로브카드 양산납품을 통해 프로브카드 생산, 납품 영역을 확대하고 있습니다.

현재 DRAM EDS 시장은 해외 선두 1, 2위 업체들이 선점하고 있습니다. 이에 적극적인 영업활동을 토대로 당사는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장 진출을 추진하고 있습니다. 당사가 목표하는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장에 성공적으로 진입할 경우제품 다변화 및 급격한 매출 성장 이외에도 고객 다변화와 비메모리 반도체 테스트용프로브카드 사업 진출에도 유리한 위치를 차지할 것이며, 향후 Global 프로브카드 전문 업체로 성장하기 위한 초석을 다질 수 있을 것으로 예상됩니다.

DRAM용 프로브카드

3. CIS용 프로브카드

당사의 CIS (CMOS Image Sensor) 웨이퍼 TEST용 프로브카드는 고성능의 TEST 속도를 자랑하며, 렌즈 모듈이 삽입되어 있고, 안정적인 전원을 공급할 수 있습니다. 당사는 전기적 신호 Loss의 최소화, 렌즈 Alignment의 정밀화 등 정확한 고주파 TEST를 위한 PCB 및 MLC 설계기술을 보유하고 있습니다. 당사는 고객사의 제작사양서 기반 CIS용 프로브카드 전용 프로브를 개발 완료한 상태입니다.

SK하이닉스는 지속적으로 CIS에 관한 투자 계획을 발표하고 있으며, 현재는 13MP 이하의 저화소 영역에서 주요 공급사의 역할을 하고 있지만, 향후 지속적인 연구 개발과 투자를 통해 32MP 이상의 고화소 시장에 진입할 예정입니다. SK하이닉스의 전략은 CIS를 DRAM과 낸드플래시와 같이 회사의 주요 성장 제품으로 발전시킬 것으로 예상됩니다. 이러한 과정에서 SK하이닉스 프로브카드의 주요 공급사인 당사는 SK 하이닉스의 CIS 전략에 맞추어 프로브카드 개발에 성공하였고, 향후 지속적인 협력 관계를 통해 다양한 CIS용 프로브카드를 개발하여 고객사의 수요에 대응할 예정입니다.

CIS용 프로브카드

4. 파운드리 제품

당사는 프로브카드 외에도 MEMS기술을 활용하여 다양한 제품을 생산하고 있습니다.

1) 압력센서 : 자동차 브레이크에 삽입되어 압력을 감지하는 센서 칩입니다. 높은 신뢰도와 정확도를 통하여 자동차의 ABS, ESC, TCS 시스템의 작동을 위해 압력을 감지합니다.  

2) Microneedle : 한-이스라엘 공동기술개발 사업자로 선정된 후 NANOPASS Technologies Ltd.와 함께 개발 및 생산하고 있는 초미세 주사기탐침 입니다. 약물이 주입되는 Hole 사이즈가 60㎛로 통증 없이 효과적인 약물 투여가 가능합니다.

3) V-Groove : 각종 섬유의 정밀한 정렬을 위한 광섬유 Array기판 입니다. 축적된 MEMS기술을 통해 습득한 실리콘 Etching으로 경쟁력 있는 양산기술을 확보하고 있습니다.

파운드리 제품들

 

◆ 주요 제품 가격 변동 현황

 

매출 및 수주상황

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◆ 매출실적

 

◆ 연도별 세부매출

 

◆ 주요 매출처

 

◆ 수주현황

당사의 주 고객사인 SK하이닉스에서는 매 분기별 필요한 프로브카드를 2~3개월 전에 구매요청서를 작성하여 공급 업체를 선정 후 발주를 진행합니다. 또한 해외 고객사에서도 일반적으로 프로브카드 필요 시점 2개월 전에 발주를 진행합니다. 당사 프로브카드 평균 납기는 6주 가량 소요되고, 발주수량 일괄 또는 분할하여 공급하고 있습니다.

 

 

원재료 및 생산설비

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◆ 주요 원재료 매입 현황

 

◆ 원재료 가격변동 추이

 

◆ 생산능력 및 생산실적

주) 생산능력은 핵심장비인 본딩 설비의 생산량을 기준으로 연도별 제품당 평균핀수 (2020년 30,000핀, 2021년 32,000핀, 2022년 35,000핀)로 생산 수량 산출하였습니다.

※ 생산능력 : 본딩장비당 1일 생산량 x 본딩장비수 x 25일/월 x 12개월/년

1) 2020년: 36,167,142천원 (12,055천원 x 10 x 25 x 12)

2) 2021년: 35,358,952천원 (11,786천원 x 10 x 25 x 12)

3) 2022년 : 35,870,016천원 (10,870천원 x 11 x 25 x 12)

 

◆ 생산 및 설비

 

공모 일정 및 내용

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◆ 공모개요

(단위 : 원, 주)

증권의 종류	증권수량	액면가액	모집(매출)가액	모집(매출)총액	모집(매출)방법
기명식보통주	1,000,000	500	15,500	15,500,000,000	일반공모

인수인		증권의 종류	인수수량	인수금액	인수대가	인수방법
대표	한국투자증권	기명식보통주	1,000,000	15,500,000,000	638,600,000	총액인수

청약기일	납입기일	청약공고일	배정공고일	배정기준일
2023.04.17 ~ 2023.04.18	2023.04.20	2023.04.17	2023.04.20	-

• 모집(매출)가액, 모집(매출)총액, 인수금액 및 인수대가는 대표주관회사와 발행회사인 ㈜마이크로투나노가 협의하여 결정한 확정공모가액인 15,500원 기준입니다.
• 기관투자자 청약일: 2023년 04월 17일 ~ 04월 18일(2일간)
• 일반청약자 청약일: 2023년 04월 17일 ~ 04월 18일(2일간)

 

◆ 공모방법

<일반공모>

공모대상	주식수	배정비율	비고
일반공모	1,000,000주	100.00%	고위험고수익투자신탁 및 벤처기업투자신탁 배정수량 포함
합계	1,000,000주	100.00%	-

<청약대상자 유형별 공모대상 주식수>

공모대상	주식수	배정비율	주당 공모가액	모집(매출)총액	비고
일반청약자	250,000 주	25.00%	15,500원	3,875,000,000원	-
기관투자자	750,000 주	75.00%		11,625,000,000원	고위험고수익투자신탁 및 벤처기업투자신탁 배정물량 포함
합계	1,000,000 주	100.00%		15,500,000,000원	-

주1) 주당 공모가액 및 모집(매출)총액은 확정공모가액인 15,500원 기준입니다. 

 

◆ 수요예측 공고 및 수요예측 실시

구분	내용
공고 일시	2023년 04월 10일(월)
기업 IR	2023년 04월 10일(월)
수요예측 일시	2023년 04월 10일(월) ~ 04월 11일(화)
공모가액 확정공고	2023년 04월 13일(목)

• 수요예측 안내공고는 2023년 04월 10일(월)에 대표주관회사인 한국투자증권㈜의 홈페이지(http://securities.koreainvestment.com)에 게시함으로써 개별통지에 갈음합니다.
• 수요예측 마감시각은 한국시간 기준 2023년 04월 11일(화) 17:00임을 유의하시기 바랍니다. 수요예측 마감시각 이후에는 수요예측 참여, 정정 및 취소가 불가능하오니 접수 마감시간을 엄수해주시기 바랍니다.

 

◆ 보유지분의 상장 후 의무보유 기간 연장(보호예수)

상장 이후 유통가능 주식수 및 매도가능물량으로 인한 위험금번 공모 후 당사의 최대주주등 소유주식수는 2,397,770주(공모 후 40.51%)입니다. 해당 주식은「코스닥시장 상장규정」 제26조1항제1호에 의거한 기술성장기업으로 상장일로부터 1년 의무보유 설정되며, 이 중 사외이사 성우경을 제외한 최대주주인 황규호 및 특수관계인 3인이 보유한 2,387,770주(공모 후 40.34%)는 경영안정성, 투자자 보호 등을위해 자발적 의무보유 2년을 추가 설정하여 총 3년간 의무보유됩니다. 한편, 상장주선인 한국투자증권㈜은 금번 공모 시 동 규정 제13조5항제1호나목에 의거 공모주식의 3% 혹은 10억원을 초과하는 경우에서 3%에 해당하는 수량인 30,000주(공모 후 0.51%)를 확정공모가액과 같은 가격으로 취득하여 상장 후 3개월간 의무보유합니다. 상장 1개월 후에는 벤처금융 또는 전문투자자가 모집이나 매출이 아닌 방법으로 취득한지 2년 내인 경우의 미래에셋 넥스트 코리아 지능정보 벤처투자조합의 지분 3.38%에 해당하는 200,000주, 상장 후 3개월 후에는 상장주선인 의무인수분인 0.51%에 해당하는 30,000주에 대하여 계속보유의무가 없습니다.당사의 상장예정주식수 5,918,890주 중 약 55.60%에 해당하는 3,291,120주는 상장 직후 유통가능물량입니다. 동사의 상장예정주식수 대비 유통가능주식수의 비율 55.60%는 2022년~2023년 코스닥 신규상장법인 82개사의 평균 유통가능주식수 비율인 32.92% 대비 22.68%p 높은 비중을 차지하고 있습니다. 유통가능물량의 경우 상장일부터 매도가 가능하므로 해당물량의 매각으로 인하여 주식가격이 하락할 가능성이 있으며, 추가적으로 최대주주 등 계속보유의무자의 의무보유기간, 상장주선인의 매각제한기간이 종료되는 경우 추가적인 물량출회로 인하여 주식가격이 하락할 수 있습니다.

상장 후 유통가능 및 매도금지 물량

 

예비심사청구개요

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심사청구일	2022.09.15.
상장(예정)주식수	5,918,890 주
공모(예정)주식수	1,000,000 주
상장주선인	한국투자증권㈜
감사인

 

회사개요

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회사명	[코스닥] 마이크로투나노	회사영문명	MICRO2NANO, INC.
설립일	2000. 08. 28.	국적	대한민국
대표이사	황규호	대표전화	031-659-7900
종업원수	- 명	홈페이지	https://www.micro2nano.com/
업종	반도체 제조업	기업구분	이노비즈&벤처
주요제품	메모리 테스트용 프로브 카드
본점소재지	경기도 용인시 처인구 이동읍 덕성산단2로50번길 43
결산월	12월	주당액면가	500 원
매출액(수익)	31,707 (백만원)	법인세차감전계속사업이익	4,976 (백만원)
순이익	4,208 (백만원)	자기자본	19,930 (백만원)
최대주주	황규호	최대주주 지분율	33 %
자회사의 주요제품 (지주회사일 경우)

 

심사결과

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IPO준비를 진행 중이거나 신규 상장한 기업을 이해하기 위한 목적이며, 투자 권유를 목적으로 하지 않습니다.
투자에 관한 결정은 투자자 본인에게 있으며 그 책임 또한 본인에게 있습니다.