반도체 제조업 - 시지트로닉스 -
시지트로닉스는 특화 반도체 소자의 개발, 제조 및 판매를 주요 사업으로 영위하고 있습니다.
주요 제품군으로는 ESD, Power, Sensor가 있으며, 2022년 기준으로 각 제품군별 매출액은 ESD 49.0%, Power 37.4%, Sensor 12.4%, 기타 매출(Foundry서비스 등) 1.2% 입니다.
| 목적사업 | 비고 |
| 1. 반도체 소자의 제조 및 제조업 2. 반도체 소재의 제조 및 판매업 5. 위 각 항에 대한 기술용역 및 도급업 6. 반도체 소자, 부품, 계측장비 무역업 8. 위 각 항에 관련된 부대사업 일체 |
영위하고 있는 사업 |
| 3. 유선 및 무선통신 부품제조 및 판매업 4. 반도체 계측장비 제조 및 판매업 7. 부동산임대업 |
영위하고 있지 않은 사업 |
회사의 주요 연혁
| 연월 | 내용 |
| 2008.01 | ㈜시지트로닉스 법인설립(대표이사 심규환) 자본금 : 50,000,000원 |
| 2008.02 | 벤처기업 인증 |
| 2008.05 | 기술이전(ETRI, 고주파용SiGe HBT 소자) |
| 2008.12 | 기술이전(ETRI, LN NHEMT 소자) |
| 2009.04 | TVS Zener 개발(국내 특허출원1건, 등록1건, PCT 1건) |
| 2010.07 | 기업부설연구소 설립 |
| 2010.10 | RC-type ESD/EMI Filter 개발 |
| 2011.10 | 이노비즈기업 인증(중소기업청) |
| 2012.07 | LC-type ESD/EMI Filter 개발 |
| 2013.05 | LC-TVS 개발 |
| 2015.06 | 완주군 봉동읍FAB-II 신축 |
| 2015.12 | 완주군 봉동읍 테크노밸리로 본사 이전(BEOL 시설 장비 도입) |
| 2016.05 | GaN SBD&FET 소자 개발 |
| 2016.10 | 첨단기술기업 지정(연구개발특구진흥재단) |
| 2017.02 | 4인치GaN-on-Si 에피성장 기술이전(KANC) |
| 2017.05 | 소재부품 전문기업 인증(산업통상자원부) |
| 2017.07 | 전라북도 선도기업 지정 |
| 2017.09 | 고속PD 개발 |
| 2018.03 | 투자협약(전라북도, 완주군) |
| 2018.09 | KDB-TECH 인증(KDB 산업은행) |
| 2018.11 | 완주군 봉동읍FAB-III 증축(FEOL 라인 시설장비 도입) |
| 2019.04 | IATF16949:2016 인증 |
| 2019.09 | LiDAR Sensor용APD 1x16 Array 개발 |
| 2019.12 | GaN Power-FET 및RF-HEMT 개발 |
| 2020.02 | GaN HEMT 에피기술 연구계약(KANC) |
| 2020.05 | IR용PD, Photo Transistor 개발 |
| 2020.06 | 소재부품장비 전문기업 인증(한국산업기술평가관리원) |
| 2021.02 | 우주급SBD 소자개발 계약(한국항공우주연구원, 2021~2024) |
| 2021.03 | MCT 소자, GaN RF-HEMT 기술이전(ETRI), 200W급HEMT 시제품 개발 |
| 2021.11 | LiDAR용32 채널APD 개발 |
| 2021.12 | FEOL 시설장비 증설(Capa확충15,000매/월) |
| 2021.12 | UV-PD 개발 협약(NNFC) |
| 2021.12 | GaN Power(AV사, AU사 등) 분야의 개발 NDA |
| 2022.03 | 초박형 FC-TVS 신제품(판매 개시), K사 BOM 등록 |
| 2022.04 | Si Epi system 도입, 에피기판 생산100% 내재화 추진 |
| 2022.05 | 국책사업(GaN Power IC 파운드리 기술)협약, 디비하이텍과 공동 수행 |
| 2022.06 | 전라북도 스타기업 지정 |
| 2022.06 | 국책사업(차세대 전력반도체 고전압GaN)협약, KANC과 공동 수행 |
| 2022.06 | BB-PD 개발 |
| 2022.08 | GaN FET Foundry, NDA 체결(AW사) |
| 2022.08 | SiC FAB 공정 개발 계약(아이큐랩사) |
| 2022.10 | ESG 우수기업 인증(등급: ESG-4) |
| 2022.10 | GaN Foundry, NDA 체결(V사) |
| 2022.11 | 파워소자 Foundry, NDA 체결(AX사) |
| 2023.04 | GaN Power 제품 사업 MOU 협약(워프솔루션사) |
| 2023.05 | GaN 화합물 반도체 파워소자, NDA 체결(AY사) |
주주에 관한 사항
◆ 최대주주 및 그 특수관계인의 주식소유 현황
◆ 5% 이상 주주의 주식소유현황
◆ 소액주주현황
(단위: 주)
| 구분 | 주주 | 소유주식 | 비고 | ||||
| 소액 주주수 |
전체 주주수 |
비율 (%) |
소액 주식수 |
총발행 주식수 |
비율 (%) |
||
| 소액주주 | 10 | 28 | 35.72% | 108,459 | 3,579,250 | 3.03% | - |
주) 상기 소액주주는 최근 주주명부 폐쇄일인 2022년 12월 31일 기준이며 해당 기준일 의결권 있는 발행주식 총수의 100분의 1에 미달하는 주식을 소유한 주주 기준입니다.
사업을 이해하는데 필요한 용어 정리
| 용어 | 원문 | 설명 |
| Epi | Epitaxial Growth | “Epitaxial Growth”는 라틴어 epi(위에)와 taxis(정렬된)에서 유래한 단어로 반도체 기판 위에 동종(또는 이종) 반도체 결정막을 성장하는 방법으로 간단하게 Epi라고도 칭함 |
| ESD | Electro Static Discharge |
전위가 다른 두 물체 사이에 갑작스럽게 순간적인 전류가 흐르는 정전기 현상으로 순간적으로 수천에서 수만 볼트까지 전압이 발생됨. 이로 인하여 각종 유.무선 통신기기의 메인Chip을 정전기로부터 보호하기 위하여 ESD소자가 사용됨 |
| HEMT | High Electron Mobility Transistor |
고주파 통신시스템에 주로 사용되는 트랜지스터로서 전하의 이동속도가 매우 빠른 특징을 가짐. 예로서, 당사 제품 중에는 GaN RF HEMT 소자가 이에 해당됨 |
| LiDAR | Light Detection and Ranging |
레이저 신호가 주변의 사물과 부딪힌 후 되돌아오면 이를 분석해 사물의 위치나 운동방향, 속도 등을 확인하는 방식임. 라이다의 발전은 원래 인공위성이나 항공기에 탑재되여 지형이나 건물, 삼림 구조 등을 측정 하는 측량 기술로 활용되어 왔으나, 최근에는 소형 경량 타입 라이다가 개발되어 자율자동차, 드론, 로보트 등에 탑재되어 정밀한3D 매핑 데이터 생성까지 할 수 있게 됨 |
| MOS | Metal Oxide Semiconductor |
금속/산화막/반도체 구조 당사 MOS 구조를 갖는 제품은 아래와 같이 몇 종류로 구성되어 있음 1 MOSFET(MOS Field Effect Transistor) MOS 구조를 갖는 전계효과트랜지스터로 실리콘 반도체의 핵심 소자임 2 MCT(MOS-Controlled Thyristor) MOS 구조를 갖는 다이리스터 스위칭소자로서 매우 짧은 시간(수 마이 크로 초)에 높은 전압(1400V)을 공급하는 스위치로서 미사일 신관 등에 사용됨 |
| PD | Photo diode | PD: 포토다이오드는 빛에너지를 전기에너지로 변환해주는 광센서의 한 종류임. 이것은 반도체의 PN 접합부에 광검출 기능을 추가한 것. 포토다이오드는 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)와 유사 하게 생겼으나 반대의 기능을 수행. 포토다이오드는 빛 에너지를 전기에너지로 전환하지만, 발광다이오드는 전기에너지를 빛에너지로 전환함 당사 포토다이오드 제품에는 아래와 같이 몇 종류로 구성되어 있음 1 APD(Avalanche Photodiode) 눈사태 현상(Avalanche phenomena)을 이용하여 빛에너지를 전류로 변환 해주는 역할을 하는 포토다이오드 임. 이 현상은 포토 다이오드에 빛을 입사하여 역 바이어스 전압을 증가시키면, 발생한 전자가 가속되어 원자와 충돌하여 새로운 전자와 정공이 발생하는 것을 이용한 소자이다. APD는 높은 이득(Gain)을 갖는 장점으로 인해 자율주행자동차의 라이다 시스템에 핵심적으로 사용되고 있음 2 BB-PD(Broadband-PD) 녹색에서 적외선 파장까지의 광대역 빛을 흡수하여 전류로 변환해주는 포토 다이오드로서 웨어러블 헬스케어용 스마트워치에 사용되고 있음 3 IR-PD(Infrared-PD) 적외선 감지용 포토다이오드 4 PIN-PD(PIN-PD) PIN(P형반도체/진성반도체/N형반도체) 수직 구조를 갖는 포토다이오드 로서 진성(Intrinsic) 반도체 두께, 농도를 조절하여 수광 특성을 조절함 5 SPAD(Single Photon Avalanche Diode) 빛의 최소 단위인 단일광자를 검출할 수 있는 초고감도 광학센서, 양자통신 및 양자컴퓨팅을 비롯한 양자기술 산업 뿐 아니라 극소량의 광자를 감지하는 광센서에 핵심적으로 사용되는 단일광자검출소자 6 UV-PD(Ultraviolet-PD) 자외선 감지용 포토다이오드 |
| P-TR | Photo transistor | 포토다이오드의 PN 접합을 베이스-에미터 접합에 이용한 트랜지스터로, 포토다이오드와 마찬가지로 빛에너지를 전기에너지로 변환함. 포토 트랜지스터는 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 광센서의 일종으로, 빛의 세기에 따라 흐르는 전류가 증가한다. 이때의 광전류를 트랜 지스터를 이용하여 증폭시킨 것이 포토트랜지스터임 |
| Quantum Efficiency | - | 양자효율: 감광성 장치에서 흡수된 광자수 대비 생성된 전자수 비이다. 일 예로, 흡수된 광자수가 100개이고 90개 전자가 생성되었다면 양자효율은 90%가 된다. |
| RF | Radio Frequency | 주파수 범위20kHz ~ 300GHz에 해당하는 고주파 |
| RoHS | Restriction of Hazardous Substances |
유해물질규제: RoHS는 EU에서 제정한 전기전자제품의 유해물질 사용을 규제하는 제도로 납, 카드늄, 수은, 크롬, 난연제와 같은 유해물질 사용을 제한합니다. RoHS는 유럽으로 수출되는 전자제품에 대해 지정한 유해물질의 함유량이 기준치 이하일 때 받을 수 있는 인증임 |
| SBD | Schottky Barrier Diode |
SBD: 일반적으로 금속/반도체 접합을 사용하여 제조되는 전력전달 스위치로서 교류를 직류로 변환해주는 회로에 사용된다. 당사 스위칭다이오드 제품에는 아래와 같이 몇 종류로 구성되어 있다. 1 SBR(Super Barrier Rectifier) 낮은 순방향전압과 고온 신뢰성이 높은 장점이 있음 2 TMBS(Trench MOS Barrier Schottky) 도량(트렌치) 형상과 MOS(금속/산화막/반도체) 구조를 갖는 고전압 스위 칭 소자로서 기존 SBD에 비하여 고전압으로 동작가능(예, 500V) 3 FRD(Fast Recovery Diode) 고속 동작에 적합한 다이오드로서 고효율화 및 저 손실화에 적합한 스위칭 전원 반도체 |
| TVS | Transient Voltage Suppressor |
TVS: 수십 나노 초의 매우 짧은 시간에 순간적으로 발생하는 바람직하지 않은 과도 전압을 낮은 전압으로 억제하여 메인 Chip을 보호하는 역할을 함 당사 TVS 제품에는 아래와 같이 몇 종류로 구성되어 있다. 1 BD-TVS(Bidirectional-TVS) 양.음(+/-) 부호를 갖는 과도 전압을 낮은 전압으로 억제시켜주는 소자 2 FC-TVS(Flip Chip-TVS) 반도체 Chip을 회로 기판에 부착시킬 때 Chip을 뒤집어서 Chip의 패드가 리드프레임에 직접 연결되는 TVS 소자 3 ULC-TVS(Ultra Low Capacitance-TVS) 정전용량이0.5 피코 패럿(picofarad) 이하 특성을 갖는 TVS 소자로서6GHz 고주파 대역까지 동작함 |
| Ultra shallow Junction |
- | 미세접합기술: 반도체 물질간의 접합에서 원자층 수준으로 정밀하게 두께를 제어하고, 극 저농도와 고농도의 불순물 도핑을 제어하는 기술임 |
| Wafer | - | 웨이퍼란 반도체 칩을 만드는 토대가 되는 얇은 원판을 의미합니다. 웨이퍼 위에 전자회로를 새기는 공정을 거쳐 반도체 칩이 만들어집니다. 이러한 웨이퍼는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 등 용도에 따라 종류가 다양합니다. |
| WBG 반도체 |
Wide Bandgap 반도체 |
기존 실리콘 소재보다 밴드갭이 더 큰 반도체로서 통상 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)을 기반으로 한 반도체가 이에 해당됨. 와이드 밴드갭 반도체는 실리콘에 비하여 밴드갭이 더 크기 때문에 더 높은 전압과 온도, 주파수에서 동작할 수 있는 장점이 있어서 차세대 전력반도체로서 각광을 받고 있습니다. 여기서, 밴드갭이란 가전자대 (Valence band)와 전도대(Conduction band) 사이의 에너지 차이를 말함 |
| 누설전류 | - | 누설전류란 전류가 흘러야 할 곳이 아닌 다른 곳으로 흘러버리는 현상이다. 전류가 새는 것인데 이는 트랜지스터 본래의 동작에 기여하지 못한 채 소비전류만을 늘리게 된다. |
주요 사업
반도체 소자는 그 용도에 따라 데이터 저장에 특화된 '메모리반도체'와 저장이 아닌 역할을 하는 '비메모리반도체'로 구분됩니다. 당사는 비메모리반도체 중 광ㆍ개별소자를 개발 및 생산하는 사업을 영위하고 있습니다.
당사는 실리콘(Si) 소재를 이용한 광·개별소자(ESD, Power, Sensor등)를 개발에서 생산 및 판매까지 아우르는 사업을 하고 있습니다. 신규 사업으로 화합물반도체 소재인 질화갈륨(GaN)을 사용한 전력반도체 (Power) 소자는 2017년부터, RF(Radio Frequency) 소자는 2020년부터 연구개발을 진행하여 왔으며 현재 해당 제품을 상용화하기 위한 노력을 하고 있습니다. 또한, 당사의 핵심 기술인 Epi 공정 기술을 적용한 자체 파운드리(Foundry) 라인인 'Multi-project FAB'(M-FAB)을 통하여 자체적인 생산에서 아웃소싱까지 아우르는 종합반도체(IDM)기업으로 발돋움하기 위한 노력을 하고 있습니다.
당사의 Epi 기술을 적용하여 생산한 ESD 소자, Sensor 소자, Power 소자는 LED, 웨어러블 헬스케어 디바이스, 군수물품 등에 주로 적용되어 국내외로 납품되고 있습니다.
주요 제품 및 서비스
◆ 주요 제품 설명
1) ESD 소자
ESD(Electro Static Discharge)소자는 정전기와 같이 갑작스러운 과도전압(Surge)에 노출되는 경우, 이를 억제하여 전자기기 내부의 회로를 보호하기 위해 사용되는 방호소자로서, 모든 전자제품에 사용되고 있습니다. 전자제품이 정전기에 노출되면 미세한 손상으로 인하여 소자의 신뢰도에 심각한 영향을 주거나, 심각한 경우에는 디바이스가 완전히 파괴되기도 합니다. 따라서, 정전기의 유입에 따른 파괴로부터 집적회로를 보호하기 위하여 집적회로 내부와 외부와의 연결부위에 ESD 보호소자를 삽입하여 정전기가 전자제품 내부의 집적회로로 흐르지 않도록 방지하는 기능을 합니다. 반도체의 소형화, 집적화에 의해 정전기가 전기전자 장치에 고장을 유발하는 위험도가 증가함에 따라 이를 관리하기 위한 ESD 제품 시장 역시 고도화되며 지속적인 성장을 하고 있습니다.
당사가 생산하는 ESD소자 제품으로는 대표적으로 TVS Diode와 Zener Diode가 존재하며, 신제품으로는 최근에 개발되어 사업화에 진입하고 있는 BD(Bidirectional)-TVS와 FC(Flip Chip)-TVS 등이 있습니다. 당사의 ESD소자는 기존 기술에 비해 Epi 기술을 적용한 미세접합 구조로 제작되어 고전압 정전기에 빠르고 고정격으로 동작할 수 있는 차별성이 있습니다. 이를 통해 8kV~30kV 급의 과도전압을 수 나노 초(nano sec) 급으로 고속 차단하는 특징을 가지고 있습니다.
2) Sensor 소자
당사의 Sensor소자는 주변의 광신호를 감지하여 전기적 신호로 변환하는 기능을 제공하기에 미래형 자동차, 의료기기, 로봇 등 현재 성장성이 높은 미래 산업 분야에 활용도가 매우 높은 기술입니다.
당사가 생산하는 센서 소자 제품은 P-TR(Photo-Transistor)과 신제품으로 BB-PD(Broad Band Photo Diode) 및 APD(Avalanche Photo Diode)가 있습니다. P-TR은 외부에서 주입되는 빛에너지를 전기적 신호로 변환하는 광센서 소자를 의미하며, 리모콘, 디지털 카메라, 자동문, 광통신 등 센서산업 전체의 90% 이상으로 가장 규모가 큰 지분을 차지합니다. 신제품인 BB-PD는 광대역으로 동작하여 다파장(녹색, 적색, 적외선)을 동시에 감지할 수 있도록 개발되어 현재 Wearable Healthcare Device(스마트 워치, 스마트 링 등)에 적용되고 있습니다. 또한, APD 소자는 자율자동차에 사용되는 LiDAR(Light Detection and Ranging) 시스템에서 핵심적으로 사용되는 소자로서 당사에서는 APD Sensor로 1, 8, 16, 32, 64 채널의 선택이 가능하고 필터 내장이 가능한 특징을 갖고 있고 반응도(Responsivity)가 55A/W에 달하는 우수한 감도 특성을 가지고 있는바, 고객의 요구에 맞춤형으로Chip 형태나 패키지 형태로 공급될 수 있습니다.
3) Power 소자
Power소자는 전기에너지를 활용하기 위하여 스위칭, 직류교류 변환, 전압 및 주파수 변조 등의 제어 기능을 제공합니다. 전기자동차를 비롯하여 전기로 구동되는 모든 기기에는 Power소자가 사용되며 에너지 효율, 크기, 무게, 냉각(온도)과 같은 요소가 핵심적인 기술적인 사항입니다. 당사의 Power 소자는 각종 전력장치 및 모터제어에 사용되어 전력의 생산, 가공, 전송의 전 과정에 관여하기에 5G, 데이터 통신 서버, 자동차와 같은 민간 부문은 물론 군수산업까지 사용됩니다.
당사는 현재 실리콘 소재를 기반으로 한 Power소자를 판매 중입니다. 그러나, 최근 전력반도체의 사용 환경에 따른 반도체 소재의 변화(Si to GaN, SiC)에 대한 수요가 높아짐에 따라 당사 역시도 이에 대한 대응으로 GaN 소재를 통한 전력반도체를 당사의 신규사업으로 목표하고 있습니다.
4) Foundry 서비스
당사는 반도체 생산 핵심기술 중 하나인 Epi 기술을 보유하고 있으며, 이를 당사의 파운드리 라인에 직접 활용하고 있습니다. Epi 공정이란 Si, SiC, 혹은 GaN 소재 등의 Wafer 위에 추가적으로 다른 결정 구조를 갖는 박막을 도포하는 공정을 말합니다.
당사는 상술된 Epi 기술을 접목한 자체 파운드리 라인인 M-FAB (Multi-project FAB)을 보유하고 있습니다. 향후 이를 통하여 반도체 소자 외주서비스 및 자체 생산 모두를 아우르는 플랫폼으로서의 M-FAB인 'M-FAB 플랫폼' 사업모델을 추구하고 있습니다. 현재 실리콘 소재 반도체 생산라인을 갖춘 상태이고, 추후 GaN 소재의 반도체 생산라인을 구축하여 다양한 제품 요구에 대응할 수 있는 경쟁력을 갖출 계획입니다.
◆ 주요 제품 등의 매출 현황
◆ 주요 제품 등의 가격 변동 현황
매출 및 수주상황
◆ 매출실적
◆ 주요 매출처
원재료 및 생산설비
◆ 주요 원재료 매입 현황
◆ 원재료 가격변동 추이
◆ 생산 능력 및 생산 실적
◆ 생산설비에 관한 사항
◆ 향후 투자계획
당사는 향후 매출의 성장과 신규 사업의 전개를 위해 2023년~2025년 각각 58억원, 107억원, 135억원의 투자를 진행하여 Si FAB 확충 및 GaN FAB 구축을 계획 중에 있습니다. 이러한 투자를 통해 기존 Si 기반의 생산 Capa는 현시점의 15,000매/월에서 25년의 25,000매/월로 늘어날 것이며 800매/월의 생산 Capa를 가진 GaN FAB을 구축하여 GaN Power 소자시장에서의 선점효과를 누릴수 있을 것이라고 판단됩니다.
공모 일정 및 내용
◆ 공모개요
(단위 : 원, 주)
| 증권의 종류 | 증권수량 | 액면가액 | 모집(매출)가액 | 모집(매출)총액 | 모집(매출)방법 |
| 기명식보통주 | 900,000 | 500 | 18,000 | 16,200,000,000 | 일반공모 |
| 인수인 | 증권의 종류 | 인수수량 | 인수금액 | 인수대가 | 인수방법 | |
| 대표 | 유안타증권 | 기명식보통주 | 900,000 | 16,200,000,000 | 584,010,000 | 총액인수 |
| 청약기일 | 납입기일 | 청약공고일 | 배정공고일 | 배정기준일 |
| 2023.07.10 ~ 2023.07.11 | 2023.07.13 | 2023.07.10 | 2023.07.13 | - |
- 단위당 모집(매출)가액, 모집(매출)총액, 인수금액, 인수대가 등은 제시 공모희망가액인 18,000원 ~ 20,000원 중 최저가액인 18,000원 기준입니다.
- 기관투자자 청약일: 2023년 7월 10일 ~ 11일 (2일간)
- 일반청약자 청약일: 2023년 7월 10일 ~ 11일 (2일간)
◆ 공모방법
<일반공모>
| 공모대상 | 주식수 | 배정비율 | 비고 |
| 일반공모 | 900,000주 | 100.00% | 고위험고수익투자신탁 및 벤처기업투자신탁 배정수량 포함 |
| 합계 | 900,000주 | 100.00% | - |
<청약대상자 유형별 공모대상 주식수>
| 공모대상 | 주식수 | 배정비율 | 주당 공모가액 | 모집(매출)총액 | 비고 |
| 일반청약자 | 225,000주 ~ 270,000주 |
25.00% ~ 30.00% |
18,000원 | 4,050,000,000원 ~ 4,860,000,000원 |
- |
| 기관투자자 | 630,000주 ~ 675,000주 |
70.00% ~ 75.00% |
11,340,000,000원 ~ 12,150,000,000원 |
고위험고수익투자신탁 및 벤처기업투자신탁 배정물량 포함 |
|
| 합계 | 900,000주 | 100.00% | 16,200,000,000원 | - |
◆ 수요예측 공고 및 수요예측 실시
| 구분 | 내용 |
| 공고 일시 | 2023년 07월 03일(월) |
| 기업 IR | 2023년 06월 26일(월) ~ 2023년 07월 03일(월) |
| 수요예측 일시 | 2023년 07월 03일(월) ~ 2023년 07월 04일(화) |
| 공모가액 확정공고 | 2023년 07월 06일(목) |
- 수요예측 안내공고는 2023년 07월 03일(월) 유안타증권㈜의 홈페이지(www.myasset.com) 에 게시함으로써 개별통지에 갈음합니다.
- 수요예측 마감시각은 한국시간 기준 2023년 07월 04일(화) 17:00 임을 유의하시기 바랍니다. 수요예측 마감시각 이후에는 수요예측 참여, 정정 및 취소가 불가능하오니 접수마감시간을 엄수해 주시기 바랍니다.
◆ 보유지분의 상장 후 의무보유 기간 연장(보호예수)
상장 이후 유통가능 주식수 및 매도가능물량으로 인한 위험금번 공모 후 당사의 최대주주등 소유주식수는 1,362,600주(공모 후 30.24%)입니다. 해당 주식은「코스닥시장 상장규정」 제26조1항제1호에 의거한 기술성장기업으로 상장일로부터 1년 의무보유 설정되며, 최대주주등이 보유한 1,362,600주 모두 경영안정성, 투자자 보호 등을 위해 자발적 보호예수 2년을 추가 설정하여 총 3년간 매각이 제한됩니다. 한편, 상장주선인 유안타증권㈜은 금번 공모 시 동 규정 제13조5항제1호나목에 의거 공모주식의 3%에 해당하는 수량인 27,000주(공모 후 0.60%)를 확정공모가액과 같은 가격으로 취득하여 상장 후 3개월간 의무보유합니다. 벤처금융 또는 전문투자자가 모집이나 매출이 아닌 방법으로 취득한지 2년 내인 경우 자본금의 10% 한도내에서 상장일로부터 1개월 보호예수의무가 있으며 이에 벤처금융 및 전문투자자가 보유중인 일부 주식 578,445주(공모 후 12.83%)가 상장일로부터 1개월 후에는 계속보유의무가 사라집니다.당사의 상장예정주식수 4,506,250주 중 약 56.33%에 해당하는 2,565,205는 상장 직후 유통가능물량입니다. 당사의 상장예정주식수 대비 유통가능주식수의 비율 56.33%는 2022년~2023년 코스닥 신규상장법인 89개사의 평균 유통가능주식수 비율인 33.32% 대비 23.01%p 높은 비중을 차지하고 있습니다. 유통가능물량의 경우 상장일부터 매도가 가능하므로 해당물량의 매각으로 인하여 주식가격이 하락할 가능성이 있으며, 추가적으로 최대주주 등 계속보유의무자의 의무보유기간, 상장주선인의 매각제한기간이 종료되는 경우 추가적인 물량출회로 인하여 주식가격이 하락할 수 있습니다.
예비심사청구개요
| 심사청구일 | 2022.12.23. |
| 상장(예정)주식수 | 4,506,250 주 |
| 공모(예정)주식수 | 900,000 주 |
| 상장주선인 | 유안타증권㈜ |
| 감사인 | 삼정회계법인 |
회사개요
| 회사명 | [코스닥] 시지트로닉스 | 회사영문명 | Sigetronics, Inc. |
| 설립일 | 2008. 01. 25. | 국적 | 대한민국 |
| 대표이사 | 심규환 | 대표전화 | |
| 종업원수 | - 명 | 홈페이지 | |
| 업종 | 반도체 제조업 | 기업구분 | 이노비즈&벤처 |
| 주요제품 | 반도체 소자 | ||
| 본점소재지 | 전라북도 완주군 봉동읍 테크노밸리로 497 | ||
| 결산월 | 12월 | 주당액면가 | 500 원 |
| 매출액(수익) | 15,495 (백만원) | 법인세차감전계속사업이익 | -5,496 (백만원) |
| 순이익 | -5,645 (백만원) | 자기자본 | 15,891 (백만원) |
| 최대주주 | 심규환 | 최대주주 지분율 | 30 % |
| 자회사의 주요제품 (지주회사일 경우) |
|||
심사결과
IPO준비를 진행 중이거나 신규 상장한 기업을 이해하기 위한 목적이며, 투자 권유를 목적으로 하지 않습니다.
투자에 관한 결정은 투자자 본인에게 있으며 그 책임 또한 본인에게 있습니다.
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